Tylko online
MZ-V9P1T0BW
Nowy
Informacje dodatkowe | Samsung V-NAND 3-bit MLC, Wymiary: 80 x 22 x 2.3 mm, Waga: Maks. 9 g, PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0, Napięcie: 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy:0 - 70 ?, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy) |
Okres rękojmi w miesiącach | 36 |
Pojemność dysku | 1 TB |
Format dysku | M.2 2280 |
Typ dysku | SSD |
Interfejs | M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe |
Prędkość odczytu (max) | 7450 MB/s |
Prędkość zapisu (max) | 6900 MB/s |
Typ kości pamięci | V-NAND |
Typ złącza | M.2 (NGFF) |
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) | 1500000 h |
Rodzina dysków | 990 PRO |
Odczyt losowy | 1200000 IOPS |
Zapis losowy | 1550000 IOPS |
TBW (ang. Total Bytes Written) | 600.0 |
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T. | Tak |
Wsparcie dla technologii TRIM | Tak |
Cechy | 1TB;7450/6900 MB/s |
Kod producenta | MZ-V9P1T0BW |
Strona o towarze | https://www.samsung.com/pl/memory-storage/nvme-ssd/990-pro-1tb-nvme-pcie-gen-4-mz-v9p1t0bw/ |
Na razie nie dodano żadnej recenzji.