Tylko online
MZ-V8V1T0BW
Nowy
Informacje dodatkowe | PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.4, Samsung V-NAND 3-bitowy MLC, Wymiary (SxWxG): 80,15 x 22,15 x 2,38 (mm), Waga: Maks. 8,0 g, Kontroler Samsung Pablo, Pamieć podręczna HMB (Host Memory Buffer), Algorytm Auto Garbage Collection, 256-bitowe szyfrowanie AES (klasa |
Okres rękojmi w miesiącach | 36 |
Pojemność dysku | 1 TB |
Format dysku | M.2 2280 |
Typ dysku | SSD |
Interfejs | M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe |
Prędkość odczytu (max) | 3500 MB/s |
Prędkość zapisu (max) | 3000 MB/s |
Typ kości pamięci | V-NAND |
Typ złącza | M.2 (NGFF) |
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) | 1500000 h |
Rodzina dysków | 980 |
Odczyt losowy | 500000 IOPS |
Zapis losowy | 480000 IOPS |
TBW (ang. Total Bytes Written) | 600.0 |
Technika zapisywania danych | TLC |
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T. | Tak |
Wsparcie dla technologii TRIM | Tak |
Cechy | 1TB;3500/3000 MB/s |
Kod producenta | MZ-V8V1T0BW |
Strona o towarze | https://www.samsung.com/pl/memory-storage/nvme-ssd/980-1tb-nvme-pcie-gen-3-mz-v8v1t0bw/ |
Na razie nie dodano żadnej recenzji.